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• STMicroelectronics TMMDB3TG 二端交流开关, 36V, 2针 MiniMELF封装, 2A
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  TMMDB3TG
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-0971
  
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• STMicroelectronics TMMDB3 二端交流开关, 36V, 2针 MiniMELF封装, 2A
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  TMMDB3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-0975
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ035N03MS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5358
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ105N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5361
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ097N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5367
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ160N10NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5373
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ165N04NS G, 31 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ165N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5377
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ520N15NS3 G, 21 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ520N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5389
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  SI7615ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9248
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  SIS890DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9395
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  SIS892ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9399
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SISA12DN-T1-GE3, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  SISA12DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9402
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ110N06NS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ110N06NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  823-5724
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ0902NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9159
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ0902NSI, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ0902NSI
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9207
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ036NE2LS, 40 A, Vds=25 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ036NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9376
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  CSD16323Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4707
  
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• Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87331Q3D, 45 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  CSD87331Q3D
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4940
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ130N03MSG, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ130N03MSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5101
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ100N03LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5142
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  FDMC86102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4774
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMC86259P, 3.2 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  FDMC86259P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8228
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86570L, 56 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 33封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  FDMC86570L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8231
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ900N15NS3 G, 13 A, Vds=150 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ900N15NS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  898-6886
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ065N03LS, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：长度 3.4mm,
• 制造商零件编号：
  BSZ065N03LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4331
  
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