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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1079
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740PBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF740PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0020
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFI740GPBF, 5.4 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI740GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9692
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740ALPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF740ALPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4743
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60ZFP, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60ZFP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9998
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR0202PLT1G, 400 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR0202PLT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6299
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740LCPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF740LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4485
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXM61P03FTA, 1.1 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXM61P03FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-232
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740APBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF740APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9399
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STU10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STU10NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9724
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF740STRL-GE3, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHF740STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2641
  
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• Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17483F4T, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD17483F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9243
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP11N60TH, 11 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDP11N60TH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4940
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH14N60P, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH14N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-063
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF740SPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF740SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9406
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD10NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9878
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF11N50CF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQPF11N50CF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5881
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDF11N60BTH, 11 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDF11N60BTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4915
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP13NK60Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7490
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRF740LCPBF, 10 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF740LCPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  536-5992
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB13NK60ZT4, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB13NK60ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5112
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW15NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5257
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9972
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF10NM60N, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF10NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2739
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW15NK90Z, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 550 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW15NK90Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6620
  
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