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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1310NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1506
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1310NPBF, 24 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI1310NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9591
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH76N60N, 76 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH76N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6131
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC655BN, 6.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC655BN
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4426
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-268封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFT94N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4483
  
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• Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 Si N沟道 MOSFET FCH76N60N, 76 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH76N60N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4699
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMS86163P, 7.9 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86163P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8442
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDZ1416NZ, 7 A, Vds=24 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDZ1416NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8748
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4249
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2552, 5 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP2552
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4812
  
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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2040LTS-13, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN2040LTS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2551
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1310NPBF, 24 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI1310NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-5012
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NSPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1310NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2880
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG6968U-7, 6.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMG6968U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4111
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA436DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=8 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIA436DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9276
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV37EN, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMV37EN
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2808
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH94N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4391
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFQ94N30P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4470
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7900AEDN-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7900AEDN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1416
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUP90N15-18P-E3, 90 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SUP90N15-18P-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7502
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150MPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP150MPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4000
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP150NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4873
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1310NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1310NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4905
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP150NPBF, 42 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP150NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0856
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3682, 6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 36 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP3682
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4837
  
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