以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA65R190CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7738
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW20N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6414
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP20N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4746
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCPF20N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4764
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60FTM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60FTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6119
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP21N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3207
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRFR120Z, 8.7 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR120Z
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4309
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9102
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP190N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1152
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2924
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STFI20N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2942
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3090
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB24N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3103
  
• 
  搜索

• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK16N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5047
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK44N80Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1411
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFX44N80Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1499
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB24NM65N, 19 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB24NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  811-1079
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK16J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6141
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP20N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCP20N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4838
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCPF190N60E, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCPF190N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4936
  
• 
  搜索

• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMQ60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MMQ60R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5056
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16A60W,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK16A60W,S4VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2901
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH36N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-467
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCB20N60TM, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0330
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP17P10, 16.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 190 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQP17P10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5048
  
• 
  搜索