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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ48NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9957
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3110ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4514
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS6898A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0646
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS4610PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7109
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44ZPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLZ44ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7308
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTB6411ANT4G, 77 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTB6411ANT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2856
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTMS5835NLR2G, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTMS5835NLR2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  747-0920
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86322, 83 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86322
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9642
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMS3014SFG-7, 9.5 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMS3014SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5184
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB60NF06LT4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB60NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-6944
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLU3110ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3976
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STP60NF06L, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP60NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7816
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4410DYPBF, 10 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4410DYPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2414
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905ZPBF, 60 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2905ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4491
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7807ZPBF, 43 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR7807ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4564
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4610PBF, 73 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4610PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6958
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI7716ADN-T1-GE3, 12 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI7716ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3389
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTP6411ANG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2963
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R7-80BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3038
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTB60N06T4G, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTB60N06T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0992
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4666DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3249
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7811AVPBF, 11.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7811AVPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3883
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4710PBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4710PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4010
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPP45N06S4L-08, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP45N06S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6895
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 14 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8447L_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8127
  
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