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• IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N60, 44 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK44N60
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5358
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP14NF10, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP14NF10
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  714-6780
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN130-200D,118, 20 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN130-200D,118
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8455
  
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• Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2313CX RFG, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TSM2313CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6068
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SiHS36N50D-E3, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 Super-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SiHS36N50D-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9200
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD14N03RT4G, 14 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD14N03RT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-1750
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD18N20LZ, 16 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD18N20LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8057
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH130N60, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH130N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1287
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A H, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A H
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2214
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP613P, 2.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSP613P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2236
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7103PBF, 3 A, Vds=50 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7103PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4845
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BUZ30A, 21 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BUZ30A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  298-342
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDT458P, 3.4 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDT458P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0788
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD18P06P G, 18.6 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD18P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8491
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC634P, 3.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC634P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-4410
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP18P06P H, 13.2 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP18P06P H
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9415
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDS9431A, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDS9431A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  917-5507
  
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• IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N60, 44 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFK44N60
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0868
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW33N60DM2, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW33N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6481
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STE40NC60, 40 A, Vds=600 V, 4引脚 ISOTOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STE40NC60
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5226
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET 晶体管 ZXM64P02XTA, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXM64P02XTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5322
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD10NF10T4, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD10NF10T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9531
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB32NM50N, 22 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB32NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2911
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN069-100YS, 17 A, Vds=100 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN069-100YS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2892
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET SFT1445-TL-H, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TP-FA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大漏源电阻值 130 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SFT1445-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  805-4430
  
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