产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
分立半导体
(44)
达林顿晶体管
(2)
IGBT 晶体管模块
(7)
IGBT 晶体管
(35)
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (6)
Fuji (1)
Fuji Electric (4)
Infineon (12)
IXYS (1)
ON Semiconductor (9)
Semikron (2)
STMicroelectronics (8)
Toshiba (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
ON Semiconductor MJ11012G NPN 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=60 V, HFE=200, 2引脚 TO-204AA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
MJ11012G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
862-4954
搜索
ON Semiconductor MJ11015G PNP 达林顿晶体管对, 30 A, Vce=120 V, HFE=200, 3引脚 TO-204封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
MJ11015G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5055
搜索
Fairchild Semiconductor FPDB50PH60 N通道 IGBT 模块, 30 A, Vce=600 V, 27引脚 SPM27 HA封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
FPDB50PH60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-5005
搜索
IXYS FII30-06D 双 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 5引脚 ISOPLUS-I4-PAC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
FII30-06D
品牌:
IXYS
库存编号:
194-849
搜索
Infineon IKP15N65F5 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
IKP15N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7724
搜索
Fuji Electric FGW30N120HD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
FGW30N120HD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9039
搜索
ON Semiconductor NGTB15N120LWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
NGTB15N120LWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7352
搜索
STMicroelectronics STGW30V60F N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
STGW30V60F
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7633
搜索
STMicroelectronics STGD18N40LZT4 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=420 V, 1MHz, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
STGD18N40LZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-9019
搜索
Toshiba GT30J121 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
GT30J121
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5058
搜索
Fairchild Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
FGPF15N60UNDF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0785
搜索
Fairchild Semiconductor FGH15T120SMD_F155 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
FGH15T120SMD_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8833
搜索
Semikron SK25GAL063 N通道 IGBT 模块, 30 A, Vce=600 V, 4引脚 SEMITOP1封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
SK25GAL063
品牌:
Semikron
库存编号:
505-2905
搜索
Fuji Electric 7MBR30SA-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相, 30 A, Vce=600 V, 24引脚 M711封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
7MBR30SA-060-50
品牌:
Fuji
库存编号:
716-5628
搜索
Infineon IKW15T120 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
IKW15T120
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5399
搜索
Infineon IKW15N120H3 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
IKW15N120H3
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8223
搜索
Infineon IHW15N120R3 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 60kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
IHW15N120R3
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2210
搜索
STMicroelectronics STGW15S120DF3 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
STGW15S120DF3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2811
搜索
Infineon IRG4PH40KDPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRG4PH40KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3777
搜索
Fuji Electric 7MBR30U2A-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 30 A, Vce=600 V, 24引脚 M711封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
7MBR30U2A-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
716-5637
搜索
Infineon IRG4PH40KDPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRG4PH40KDPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0327
搜索
Infineon IRG7PH30K10DPBF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
IRG7PH30K10DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7552
搜索
Fuji Electric FGW30N60VD N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
FGW30N60VD
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9036
搜索
ON Semiconductor NGTB15N120IHLWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
NGTB15N120IHLWG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7358
搜索
ON Semiconductor NGTB15N60S1EG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大连续集电极电流 30 A,
制造商零件编号:
NGTB15N60S1EG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7364
搜索
1
2
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号