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• Infineon FS75R12W2T4_B11 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 107 A, Vce=1200 V, 33引脚 EASY2B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FS75R12W2T4_B11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  838-7046
  
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• Fairchild Semiconductor FGH75T65UPD IGBT, 75 A, Vce=650 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FGH75T65UPD
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1067
  
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• STMicroelectronics STGW60V60DLF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60V60DLF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7652
  
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• STMicroelectronics STGWT60V60DF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60V60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7677
  
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• STMicroelectronics STGWT60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60H65DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4666
  
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• STMicroelectronics STGW25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW25S120DF3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2814
  
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• STMicroelectronics STGWA25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWA25S120DF3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2820
  
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• Infineon IGW60T120 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IGW60T120
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4472
  
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• STMicroelectronics STGWT60V60DLF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60V60DLF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7671
  
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• STMicroelectronics STGW60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60H60DLFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5808
  
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• STMicroelectronics STGWT60H60DLFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGWT60H60DLFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4663
  
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• STMicroelectronics STGW60H65DFB N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  STGW60H65DFB
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5802
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IPP023N10N5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7116
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7096
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP032N08, 235 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FDP032N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9169
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB7430PBF, 195 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB7430PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9172
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS4010, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS4010
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9180
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8409-7P, 240 A, 522 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS8409-7P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1023
  
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• International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFP7530PBF, 195 A，281 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFP7530PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  807-1558
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  SQM120N06-3m5L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3945
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  IRFS7530TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8870
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19506KCS, 273 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  CSD19506KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4903
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19536KCS, 259 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  CSD19536KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4919
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N10, 164 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FDP047N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4734
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDH5500_F085, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 375 W,
• 制造商零件编号：
  FDH5500_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8161
  
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