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• Infineon IRG4IBC20WPBF N沟道 IGBT, 12 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4IBC20WPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0924
  
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• Infineon IRGP4066DPBF N沟道 IGBT, 140 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-247AC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IRGP4066DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4224
  
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• Infineon IRG4IBC20FDPBF N沟道 IGBT, 14.3 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4IBC20FDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0921
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPA65R190CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7738
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STF33N65M2, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  STF33N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5654
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPU50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPU50R950CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7614
  
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• Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603150L, 89 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  SK8603150L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  787-7649
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN9R5-30YLC, 44 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN9R5-30YLC
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3044
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ22DN20NS3 G, 7 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  BSZ22DN20NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4463
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H099SK3-13, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  DMN10H099SK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1044
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPA60R190P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-9092
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA15N60C3, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  SPA15N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3144
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190C6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPA65R190C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8618
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R125C6, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPA60R125C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7292
  
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• Fairchild Semiconductor FNB41560B2 N通道 IGBT 模块, 3 相, 7.5 A, Vce=600 V, 26引脚 SPM26-AAC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  FNB41560B2
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8708
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPA50R140CP, 23 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPA50R140CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2989
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQJ960EP-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  SQJ960EP-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9418
  
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• Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPD50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPD50R950CE
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5057
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA65R190E6, 20 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPA65R190E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8615
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MMF60R190PTH, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  MMF60R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5031
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MMF65R190PTH, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  MMF65R190PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5044
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R199CP, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 34 W,
• 制造商零件编号：
  IPA60R199CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7400
  
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