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• ON Semiconductor MJE15032G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=250 V, HFE:10, 30 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  MJE15032G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  463-634
  
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• NXP PBSS4350Z,135 , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 4引脚 SC-73封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  PBSS4350Z,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  518-1693
  
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• DiodesZetex FZT458TA , NPN 晶体管, 300 mA, Vce=400 V, HFE:15, 50 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FZT458TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7326
  
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• DiodesZetex FZT649TA , NPN 晶体管, 3 A, Vce=25 V, HFE:15, 240 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FZT649TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7350
  
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• DiodesZetex FZT558TA , PNP 晶体管, 200 mA, Vce=400 V, HFE:15, 50 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FZT558TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7388
  
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• STMicroelectronics BD239C , NPN 晶体管, 2 A, Vce=100 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  BD239C
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-8982
  
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• Toshiba 2SD2092(Q) , NPN 双极晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:150, 140 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  2SD2092(Q)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  601-1832
  
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• DiodesZetex FZT560TA , PNP 晶体管, 150 mA, Vce=500 V, HFE:80, 60 MHz, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FZT560TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7600
  
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• ON Semiconductor MJF15030G , NPN 晶体管, 8 A, Vce=150 V, HFE:20, 30 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  MJF15030G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  545-0315
  
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• Toshiba 2SD1947A(F) , NPN 双极晶体管, 10 A, Vce=100 V, HFE:150, 70 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  2SD1947A(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  601-1810
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET STS4DPF30L, 4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  STS4DPF30L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  248-861
  
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• NXP 双 Si N/P沟道 MOSFET PHC21025, 2.3 A，3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  PHC21025
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  484-5380
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FDS6890A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0633
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FDS6898A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0646
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6930B, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FDS6930B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0655
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6982AS, 6.3 A，8.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FDS6982AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0665
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS6986AS, 6.5 A，7.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  FDS6986AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0677
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS3455T1G, 3.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  NTGS3455T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9133
  
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• ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET NTMD3P03R2G, 3.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  NTMD3P03R2G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  688-9137
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  SI4214DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3327
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  SI9933CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3395
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  SI4936BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4746
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 双 P沟道 Si MOSFET STS4DPF20L, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  STS4DPF20L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  248-855
  
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• Infineon 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7316PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF7316PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-616
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF9952PBF, 2.3 A，3.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2000 mW,
• 制造商零件编号：
  IRF9952PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-701
  
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