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• NXP PBSS304PX , PNP 晶体管, 4.2 A, Vce=60 V, HFE:60, 130 MHz, 4引脚 UPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS304PX
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  485-230
  
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• NXP PBSS302PX , PNP 晶体管, 5.1 A, Vce=20 V, HFE:100, 130 MHz, 4引脚 UPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS302PX
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  485-375
  
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• NXP PBSS306NX , NPN 晶体管, 4.5 A, Vce=100 V, HFE:40, 110 MHz, 4引脚 UPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS306NX
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  657-1700
  
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• DiodesZetex ZXTP2008ZTA , PNP 晶体管, 5.5 A, Vce=30 V, HFE:10, 110 MHz, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  ZXTP2008ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  711-5064
  
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• NXP BUJ100LR,412 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=700 V, HFE:5, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  BUJ100LR,412
  品牌：
  WeEn Semiconductors Co., Ltd
  库存编号：
  813-6700
  
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• DiodesZetex ZXTP2013ZTA , PNP 双极晶体管, 3.5 A, Vce=100 V, HFE:15, 125 MHz, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  ZXTP2013ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  711-5070
  
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• NXP PBSS4630PA , NPN 晶体管, 6 A, Vce=30 V, HFE:180, 100 MHz, 3引脚 SOT-1061封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  PBSS4630PA
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  801-5640
  
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• DiodesZetex ZXTP2012ZTA , PNP 晶体管, 4.3 A, Vce=60 V, HFE:10, 120 MHz, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  ZXTP2012ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  711-5061
  
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• DiodesZetex ZXTN2010ZTA , NPN 晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:20, 130 MHz, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  ZXTN2010ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5414
  
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• DiodesZetex ZXTN2010ZTA , NPN 晶体管, 5 A, Vce=60 V, HFE:20, 130 MHz, 3引脚 SOT-89封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  ZXTN2010ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8529
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  NTF3055L108T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  463-307
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTF3055L108T1G, 3 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  NTF3055L108T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  100-8062
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL4310PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9884
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL3303PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9890
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRLL024NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1673
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 ZXMN6A11DN8TA, 3.2 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A11DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2416
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP6A18DN8TA, 4.8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  ZXMP6A18DN8TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2554
  
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• DiodesZetex 双 Si N/P沟道 MOSFET DMC3028LSD-13, 7.1 A，7.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  DMC3028LSD-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4060
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP4015SPS-13, 11 A, Vds=40 V, 8引脚 POWERDI5060封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  DMP4015SPS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5175
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMS3014SFG-7, 9.5 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  DMS3014SFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5184
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTHD3102CT1G, 4.2 A，5.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  NTHD3102CT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0585
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTHD4502NT1G, 3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  NTHD4502NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0598
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  IRFL4105TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3994
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDME430NT, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  FDME430NT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8256
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI2318CDS-T1-GE3, 5.6 A, Vds=40 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 2.1 W,
• 制造商零件编号：
  SI2318CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4205
  
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