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• HY Electronic Corp HYG15P120A1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 20 A, Vce=1200 V, 22引脚
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  HYG15P120A1K1
  品牌：
  HY Electronic Corp
  库存编号：
  916-3321
  
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• ON Semiconductor NGTB15N120LWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB15N120LWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7352
  
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• ON Semiconductor NGTB20N120IHSWG N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB20N120IHSWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7377
  
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• Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTD2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  FGA50N100BNTD2
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0757
  
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• Infineon IRGSL10B60KDPBF N沟道 IGBT, 35 A, Vce=600 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  IRGSL10B60KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0996
  
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• HY Electronic Corp HYG15P120H1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 20 A, Vce=1200 V, 24引脚
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  HYG15P120H1K1
  品牌：
  HY Electronic Corp
  库存编号：
  916-3343
  
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• HY Electronic Corp HYG15P120B1K1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 20 A, Vce=1200 V, 23引脚
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  HYG15P120B1K1
  品牌：
  HY Electronic Corp
  库存编号：
  916-3349
  
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• ON Semiconductor NGTB15N120IHLWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  NGTB15N120IHLWG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  773-7358
  
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• Infineon IRGS10B60KDPBF N沟道 IGBT, 22 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS10B60KDPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4870
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH7004TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  776-9157
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI15N65C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  SPI15N65C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8778
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP15N60C3XKSA1, 15 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  SPP15N60C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8810
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SPP15N60CFDXKSA1, 13.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  SPP15N60CFDXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8813
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC100N10NSF G, 90 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  BSC100N10NSFG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4375
  
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• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7004TRPBF, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH7004TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  912-8665
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  SPP11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3190
  
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• STMicroelectronics N沟道 MOSFET 晶体管 STW9NK70Z, 7.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  STW9NK70Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2947
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP260N60E, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  FCP260N60E
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1143
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDP10N60GTH, 10 A, Vds=660 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  MDP10N60GTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4946
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LS G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  BSC082N10LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4312
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS86150, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86150
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1203
  
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• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP8N50D-GE3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  SIHP8N50D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9181
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86350, 130 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86350
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8483
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86550, 155 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS86550
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8492
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPP90R500C3, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 156 W,
• 制造商零件编号：
  IPP90R500C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7611
  
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