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• STMicroelectronics BUL89 , NPN 晶体管, 12 A, Vce=850 V, HFE:10, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  BUL89
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-3976
  
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• Infineon IGB10N60T N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  IGB10N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9055
  
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• Infineon IKW15T120 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  IKW15T120
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5399
  
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• Infineon IKP10N60T N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  IKP10N60T
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8338
  
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• Infineon IGW15T120 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  IGW15T120FKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0211
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR2407PBF, 42 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR2407PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1162
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQAF16N50, 11.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  FQAF16N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4991
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STB9NK50ZT4, 7.2 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STB9NK50ZT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5184
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR6215, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR6215
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7411
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR5305, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR5305
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4312
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2905
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4356
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STB155N3H6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9480
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD150N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STD150N3LLH6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9540
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N4F3, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STP95N4F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9720
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF20, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STD20NF20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0415
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB50N25M5, 28 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STB50N25M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0682
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP75NS04Z, 80 A, Vds=33 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STP75NS04Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2928
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STP18N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2930
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB18N65M5, 15 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STB18N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3034
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP13N60M2, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STP13N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3788
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP18N60M2, 13 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STP18N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7813
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STU7N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7946
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD7N80K5, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STD7N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9305
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB60NF06LT4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  STB60NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  795-6944
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK3746-1E, 2 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 110 W,
• 制造商零件编号：
  2SK3746-1E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0737
  
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