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• Nexperia PMD2001D,115, 双 NPN，PNP 晶体管, 600 mA, Vce=40 V, HFE:100, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  PMD2001D,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-295
  
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• ON Semiconductor NSV60200LT1G , PNP 双极晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:150, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  NSV60200LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  781-5105
  
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• ON Semiconductor NSS60200LT1G , PNP 晶体管, 2 A, Vce=60 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  NSS60200LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  808-3924
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-016
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-038
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET 2N7002E-7-F, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002E-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-8641
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN65D8L-7, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  DMN65D8L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-2952
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302GTRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML6302GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3310
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103GTRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1012
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4744
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML2803TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-022
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET 2N7002A-7, 220 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002A-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-8647
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP32D4S-7, 300 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  DMP32D4S-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  828-3228
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803GTRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML2803GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1019
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2803TRPBF, 1.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML2803TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4735
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET 2N7002K-7, 380 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  2N7002K-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-3383
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302PBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML6302PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  610-6851
  
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• Panasonic P沟道 MOSFET 晶体管 FL6L52010L, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 WSSMini6-F1封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  FL6L52010L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  760-2940
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402GTRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3316
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 540 mW,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4731
  
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