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• Texas Instruments LM3046M/NOPB, 五 NPN 晶体管, 50 mA, Vce=15 V, HFE:40, 120 MHz, 14引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  LM3046M/NOPB
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  100-0710
  
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• Fairchild Semiconductor KSD1616AGTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:81, 160 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  KSD1616AGTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0404
  
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• ON Semiconductor 2SD1835S-AA , NPN 晶体管, 2 A, Vce=50 V, HFE:40, 150 MHz, 3引脚 NP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  2SD1835S-AA
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  792-5151
  
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• Nexperia PBSS4350D , NPN 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 6引脚 TSOP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  PBSS4350D
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  518-1659
  
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• Fairchild Semiconductor KSC5019MTA , NPN 晶体管, 2 A, Vce=30 V, HFE:70, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  KSC5019MTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-4500
  
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• Fairchild Semiconductor KSD5041RTA , NPN 晶体管, 5 A, Vce=20 V, HFE:150, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  KSD5041RTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-4550
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2307BDS-T1-E3, 2.5 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  SI2307BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4679
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  TSM2312CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6059
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG316P, 1.6 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG316P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3383
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG328P, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG328P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3399
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG332PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG332PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3403
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4424A, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 E-Line封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  ZVN4424A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  157-4619
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2325DS-T1-E3, 530 mA, Vds=150 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  SI2325DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3263
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  SI2333DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4691
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDG311N, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG311N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3374
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDG315N, 2 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG315N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3380
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDG330P, 2 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  FDG330P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3393
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZVP4424A, 200 mA, Vds=240 V, 3引脚 E-Line封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  ZVP4424A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  157-4625
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2304BDS-T1-E3, 2.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  SI2304BDS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3244
  
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• Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  SI2312BDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3254
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD23203WT, 3 A, Vds=8 V, 6引脚 DSBGA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  CSD23203WT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  900-9949
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25304W1015T, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 DSBGA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  CSD25304W1015T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  914-2945
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2325DS-T1-E3, 530 mA, Vds=150 V, 3引脚 TO-236封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  SI2325DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0275
  
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• Texas Instruments LM3046M/NOPB, 五 NPN 晶体管, 50 mA, Vce=15 V, HFE:40, 120 MHz, 14引脚 SOIC封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  LM3046M/NOPB
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  460-821
  
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• Fairchild Semiconductor KSD1616AYTA , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:135, 1 MHz, 3引脚 TO-92封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 750 mW,
• 制造商零件编号：
  KSD1616AYTA
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-4532
  
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