产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay PB4006-E3/45 单相 整流桥, 40A 600V, 4引脚 PB封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
PB4006-E3/45
品牌:
Vishay
库存编号:
812-9106
搜索
Vishay PB5008-E3/45 单相 整流桥, 45A 800V, 4引脚 PB封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
PB5008-E3/45
品牌:
Vishay
库存编号:
812-9112
搜索
Vishay PB4008-E3/45 单相 整流桥, 40A 800V, 4引脚 PB封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
PB4008-E3/45
品牌:
Vishay
库存编号:
812-9115
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Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
IRGP30B120KD-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
784-0319
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STMicroelectronics STGWA25S120DF3 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
STGWA25S120DF3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2820
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STMicroelectronics STGWA40S120DF3 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
STGWA40S120DF3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2833
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Infineon IRGP20B120U-EP N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
IRGP20B120U-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
907-4849
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Infineon IRGP30B120KD-EP N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
IRGP30B120KD-EP
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4708
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STMicroelectronics STGWA30M65DF2 N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
STGWA30M65DF2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2824
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ON Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 NVMFD5877NLT3G, 17 A, Vds=60 V, 8引脚 DFN封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
NVMFD5877NLT3G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4163
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5852NLT1G, 44 A, Vds=40 V, 8引脚 DFN封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
NVMFD5852NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
823-4166
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
CSD16401Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4741
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MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDU1514URH, 66 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerDFN56封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
MDU1514URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-5019
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7787TRPBF, 68 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
IRFH7787TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4183
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2-4, 49 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
STW56N65M2-4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5736
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Microchip Si N沟道 MOSFET DN2625DK6-G, 1.1 A, Vds=250 V, 8引脚 DFN封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
DN2625DK6-G
品牌:
Microchip
库存编号:
916-3725
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NVMFD5877NLT1G, 17 A, Vds=60 V, 8引脚 DFN封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
NVMFD5877NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1490
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Vishay PowerPAIR 系列 双 Si N沟道 MOSFET SIZ904DT-T1-GE3, 9.5 A,14.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAIR封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
SIZ904DT-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1320
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3010LPS-13, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI5060封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
DMP3010LPS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2633
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Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16415Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
CSD16415Q5
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4808
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17556Q5B, 215 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
CSD17556Q5B
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4864
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Texas Instruments 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD87350Q5D, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
CSD87350Q5D
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4943
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4C05NT1G, 78 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
NTMFS4C05NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3252
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4C06NT1G, 69 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
NTMFS4C06NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3255
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS4C09NT1G, 52 A, Vds=30 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:分立半导体,规格:宽度 5.1mm,
制造商零件编号:
NTMFS4C09NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3259
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