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• Vishay GSIB2540-E3/45 单相 整流桥, 25A 400V, 4引脚 GSIB-5S封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GSIB2540-E3/45
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-2504
  
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• Toshiba 2SC5200N(S1,E,S) , NPN 双极晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 30 MHz, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  2SC5200N(S1,E,S)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4808
  
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• Vishay GSIB2580-E3/45 单相 整流桥, 25A 800V, 4引脚 GSIB-5S封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GSIB2580-E3/45
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  700-5469
  
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• Vishay GSIB2560-E3/45 单相 整流桥, 3.5A 600V, 4引脚 GSIB-5S封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GSIB2560-E3/45
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9834
  
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• Toshiba 2SA1943N(S1,E,S) , PNP 晶体管, 15 A, Vce=230 V, HFE:35, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  2SA1943N(S1,E,S)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  890-2620
  
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• Vishay GSIB2560-E3/45 单相 整流桥, 3.5A 600V, 4引脚 GSIB-5S封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GSIB2560-E3/45
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4667
  
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• Vishay GSIB680-E3/45 单相 整流桥, 6A 800V, 4引脚 GSIB-5S封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GSIB680-E3/45
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-2488
  
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• Toshiba GT30J121 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT30J121
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5058
  
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• Toshiba GT50NR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1050 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT50NR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4870
  
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• STMicroelectronics STGF10NB60SD N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  STGF10NB60SD
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  877-2873
  
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• Toshiba GT60PR21,STA1F(S N沟道 IGBT, 60 A, Vce=1100 V, 0.6μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT60PR21,STA1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2756
  
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• Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT50MR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2759
  
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• Toshiba GT50MR21,Q(O N沟道 IGBT, 50 A, Vce=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT50MR21,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4876
  
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• Toshiba GT40RR21 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1350 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT40RR21
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5052
  
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• Toshiba GT50JR22 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT50JR22
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5064
  
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• Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT40QR21,F(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4860
  
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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4867
  
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• Toshiba GT30J341,Q(O N沟道 IGBT, 59 A, Vce=600 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT30J341,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2734
  
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• Toshiba GT50J342,Q(O N沟道 IGBT, 80 A, Vce=600 V, 0.38μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT50J342,Q(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2740
  
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• Toshiba GT40QR21,F(O N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 0.4μs, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  GT40QR21,F(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2743
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5135
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  TK16J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6141
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6211
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2338
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  产品分类：半导体,规格：高度 20mm,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2363
  
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