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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4525GTA, 310 mA, Vds=250 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN4525GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5269
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4525ZTA, 240 mA, Vds=250 V, 3引脚 SOT-89封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN4525ZTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-1839
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5AT, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD18563Q5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  921-2987
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4815N-35G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  NTD4815N-35G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  747-0904
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5AT, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD18563Q5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9256
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZVN4525E6TA, 230 mA, Vds=250 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  ZVN4525E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-5265
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18563Q5A, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON-FET封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD18563Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4909
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050NE2LS, 58 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 11.4 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC050NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5340
  
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