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• IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IXTP36N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-622
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STP35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6477
  
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• Panasonic MTM 系列 N沟道 Si MOSFET MTM232270LBF, 2 A, Vds=20 V, 3引脚 SMini3-G1-B封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MTM232270LBF
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  749-8259
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60ND, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW34NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9792
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTR4170NT1G, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTR4170NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-4745
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2992
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS4111PT1G, 4.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTGS4111PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5252
  
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• ROHM N沟道 Si MOSFET RUR040N02TL, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 TSMT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  RUR040N02TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7813
  
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• ROHM Si P沟道 MOSFET RZR040P01TL, 4 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  RZR040P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7838
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86252L, 12 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86252L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8461
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5505TRPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR5505TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4783
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STF35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6464
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW35N60DM2, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW35N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6482
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI530NPBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI530NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9620
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF13N06L, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQPF13N06L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5225
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW32N50C3, 32 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPW32N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3226
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2980
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW34N65M5, 28 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW34N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2996
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STW36NM60ND, 29 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW36NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-6104
  
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• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMG2301U-7, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMG2301U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2526
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3110S-7, 3.8 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMN3110S-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2576
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH110N65F_F155, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FCH110N65F_F155
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1283
  
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• MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD1903RH, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MDD1903RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-4909
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL211SP, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSL211SP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2169
  
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• Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET IPB65R110CFD, 31 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大漏源电阻值 110 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPB65R110CFD
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4328
  
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