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• Fairchild Semiconductor FJP13009H2TU , NPN 晶体管, 12 A, Vce=400 V, HFE:6, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  FJP13009H2TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-0420
  
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• Fairchild Semiconductor FJP13009TU , NPN 晶体管, 12 A, Vce=400 V, HFE:6, 4 MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  FJP13009TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0899
  
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• Fairchild Semiconductor BUT11ATU , NPN 晶体管, 5 A, Vce=450 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  BUT11ATU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5226
  
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• Fairchild Semiconductor FJA4210OTU , PNP 晶体管, 10 A, Vce=140 V, HFE:80, 30 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  FJA4210OTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0830
  
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• Fairchild Semiconductor FJA4310OTU , NPN 晶体管, 10 A, Vce=140 V, HFE:50, 30 MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  FJA4310OTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0842
  
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• ON Semiconductor MJE5742G NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=400 V, HFE=50, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  MJE5742G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  790-5375
  
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• FJP2160DTU NPN 发射器开关, 2 A 2.21V, 3针 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  FJP2160DTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8950
  
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• IXYS IXA17IF1200HJ N沟道 IGBT, 28 A, Vce=1200 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IXA17IF1200HJ
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  808-0203
  
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• Infineon IRG4BC30W-SPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30 → 150kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30W-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0906
  
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• Infineon AUIRG4BC30S-S N沟道 IGBT, 34 A, Vce=600 V, 1kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRG4BC30S-S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9332
  
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• Infineon AUIRG4BC30U-S N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRG4BC30U-S
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9341
  
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• Infineon IRG4BC30SPBF N沟道 IGBT, 34 A, Vce=600 V, 1kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0902
  
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• Infineon IRG4BC30F-SPBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 1 → 8kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30F-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-0909
  
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• Fairchild Semiconductor SGP23N60UFTU N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  SGP23N60UFTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  802-2238
  
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• Infineon IRGB4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRGB4715DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3426
  
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• Infineon IRGS4715DPBF N沟道 IGBT, 21 A, Vce=650 V, 8 → 30kHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRGS4715DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3508
  
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• Infineon IRG4BC30FD-SPBF N沟道 IGBT, 31 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRG4BC30FD-SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-4855
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5406NT4G, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  NTD5406NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1018
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP18N20F, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  FDP18N20F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3545
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM23N15-73-E3, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  SUM23N15-73-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7477
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD096N08N3G, 73 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPD096N08N3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5211
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  TK12P60W,RVQ(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6126
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N06S2-23, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IPD30N06S2-23
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4584
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET HUF76419S3ST_F085, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  HUF76419S3ST_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9312
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大功率耗散 100 W,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5835
  
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