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安装类型	通孔
长度	10.52mm
尺寸	10.52 x 4.7 x 15.85mm
典型关断延迟时间	19 ns
典型接通延迟时间	8.8 ns
典型输入电容值@Vds	360 pF @ 25 V
典型栅极电荷@Vgs	16 nC @ 10 V
封装类型	TO-220AB
高度	15.85mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.7mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
引脚数目	3
正向二极管电压	1.8V
正向跨导	2.7S
最大功率耗散	60 W
最大连续漏极电流	9.2 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	270 mΩ
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

安装类型 通孔  Vishay Siliconix 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 10.52mm  Vishay Siliconix 长度 10.52mm  MOSFET 晶体管 长度 10.52mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 长度 10.52mm   尺寸 10.52 x 4.7 x 15.85mm  Vishay Siliconix 尺寸 10.52 x 4.7 x 15.85mm  MOSFET 晶体管 尺寸 10.52 x 4.7 x 15.85mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 尺寸 10.52 x 4.7 x 15.85mm   典型关断延迟时间 19 ns  Vishay Siliconix 典型关断延迟时间 19 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 19 ns   典型接通延迟时间 8.8 ns  Vishay Siliconix 典型接通延迟时间 8.8 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.8 ns  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 8.8 ns   典型输入电容值@Vds 360 pF @ 25 V  Vishay Siliconix 典型输入电容值@Vds 360 pF @ 25 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 360 pF @ 25 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 360 pF @ 25 V   典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V  Vishay Siliconix 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 16 nC @ 10 V   封装类型 TO-220AB  Vishay Siliconix 封装类型 TO-220AB  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 封装类型 TO-220AB   高度 15.85mm  Vishay Siliconix 高度 15.85mm  MOSFET 晶体管 高度 15.85mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 高度 15.85mm   晶体管材料 Si  Vishay Siliconix 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Vishay Siliconix 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.7mm  Vishay Siliconix 宽度 4.7mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 宽度 4.7mm   类别 功率 MOSFET  Vishay Siliconix 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Vishay Siliconix 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Vishay Siliconix 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Vishay Siliconix 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 通道模式 增强   引脚数目 3  Vishay Siliconix 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 引脚数目 3   正向二极管电压 1.8V  Vishay Siliconix 正向二极管电压 1.8V  MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.8V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 正向二极管电压 1.8V   正向跨导 2.7S  Vishay Siliconix 正向跨导 2.7S  MOSFET 晶体管 正向跨导 2.7S  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 正向跨导 2.7S   最大功率耗散 60 W  Vishay Siliconix 最大功率耗散 60 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大功率耗散 60 W   最大连续漏极电流 9.2 A  Vishay Siliconix 最大连续漏极电流 9.2 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.2 A  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 9.2 A   最大漏源电压 100 V  Vishay Siliconix 最大漏源电压 100 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大漏源电压 100 V   最大漏源电阻值 270 mΩ  Vishay Siliconix 最大漏源电阻值 270 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 270 mΩ  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 270 mΩ   最大栅源电压 ±20 V  Vishay Siliconix 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -55 °C  Vishay Siliconix 最低工作温度 -55 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最低工作温度 -55 °C   最高工作温度 +175 °C  Vishay Siliconix 最高工作温度 +175 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最高工作温度 +175 °C   最小栅阈值电压 2V  Vishay Siliconix 最小栅阈值电压 2V  MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  Vishay Siliconix MOSFET 晶体管 最小栅阈值电压 2V  

• IRF520, SiHF520, Power MOSFET