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安装类型	通孔
长度	15.94mm
尺寸	15.94 x 5.02 x 20.95mm
典型关断延迟时间	150 ns
典型接通延迟时间	70 ns
典型输入电容值@Vds	4100 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs	100 nC @ 10 V
封装类型	TO-247
高度	20.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.02mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	TK
引脚数目	3
最大功率耗散	270 W
最大连续漏极电流	35 A
最大漏源电压	650 V
最大漏源电阻值	80 mΩ
最大栅阈值电压	3.5V
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

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• TK35N65W, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)