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安装类型	通孔
长度	15.5mm
尺寸	15.5 x 4.5 x 20mm
典型关断延迟时间	165 ns
典型接通延迟时间	120 ns
典型输入电容值@Vds	3000 pF @ 300 V
典型栅极电荷@Vgs	105 nC @ 10 V
封装类型	TO-3PN
高度	20mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	4.5mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	TK
引脚数目	3
最大功率耗散	230 W
最大连续漏极电流	31 A
最大漏源电压	600 V
最大漏源电阻值	99 mΩ
最大栅阈值电压	3.7V
最大栅源电压	±30 V
最高工作温度	+150 °C
关键词

安装类型 通孔  Toshiba 安装类型 通孔  MOSFET 晶体管 安装类型 通孔  Toshiba MOSFET 晶体管 安装类型 通孔   长度 15.5mm  Toshiba 长度 15.5mm  MOSFET 晶体管 长度 15.5mm  Toshiba MOSFET 晶体管 长度 15.5mm   尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm  Toshiba 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm  MOSFET 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm  Toshiba MOSFET 晶体管 尺寸 15.5 x 4.5 x 20mm   典型关断延迟时间 165 ns  Toshiba 典型关断延迟时间 165 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 165 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 165 ns   典型接通延迟时间 120 ns  Toshiba 典型接通延迟时间 120 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns  Toshiba MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 120 ns   典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 300 V  Toshiba 典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 300 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 300 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3000 pF @ 300 V   典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V  Toshiba 典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V  Toshiba MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 105 nC @ 10 V   封装类型 TO-3PN  Toshiba 封装类型 TO-3PN  MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN  Toshiba MOSFET 晶体管 封装类型 TO-3PN   高度 20mm  Toshiba 高度 20mm  MOSFET 晶体管 高度 20mm  Toshiba MOSFET 晶体管 高度 20mm   晶体管材料 Si  Toshiba 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Toshiba 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Toshiba MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 4.5mm  Toshiba 宽度 4.5mm  MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm  Toshiba MOSFET 晶体管 宽度 4.5mm   类别 功率 MOSFET  Toshiba 类别 功率 MOSFET  MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET  Toshiba MOSFET 晶体管 类别 功率 MOSFET   每片芯片元件数目 1  Toshiba 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Toshiba MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Toshiba 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Toshiba MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Toshiba 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Toshiba MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 TK  Toshiba 系列 TK  MOSFET 晶体管 系列 TK  Toshiba MOSFET 晶体管 系列 TK   引脚数目 3  Toshiba 引脚数目 3  MOSFET 晶体管 引脚数目 3  Toshiba MOSFET 晶体管 引脚数目 3   最大功率耗散 230 W  Toshiba 最大功率耗散 230 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 230 W  Toshiba MOSFET 晶体管 最大功率耗散 230 W   最大连续漏极电流 31 A  Toshiba 最大连续漏极电流 31 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 31 A  Toshiba MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 31 A   最大漏源电压 600 V  Toshiba 最大漏源电压 600 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电压 600 V   最大漏源电阻值 99 mΩ  Toshiba 最大漏源电阻值 99 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 99 mΩ  Toshiba MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 99 mΩ   最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba 最大栅阈值电压 3.7V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3.7V   最大栅源电压 ±30 V  Toshiba 最大栅源电压 ±30 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V  Toshiba MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±30 V   最高工作温度 +150 °C  Toshiba 最高工作温度 +150 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  Toshiba MOSFET 晶体管 最高工作温度 +150 °C  

• TK31J60W5, MOSFET Silicon N-Channel MOS (DTMOS IV)