关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	表面贴装
长度	4.9mm
尺寸	4.9 x 5.9 x 0.95mm
典型关断延迟时间	64 ns
典型接通延迟时间	13 ns
典型输入电容值@Vds	3700 pF@ 10 V
典型栅极电荷@Vgs	28 nC @ 4.5 V
封装类型	HSO8-F4-B
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	5.9mm
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	SK
引脚数目	8
最大功率耗散	34 W
最大连续漏极电流	89 A
最大漏源电压	30 V
最大漏源电阻值	2.5 mΩ
最大栅阈值电压	3V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-40 °C
最高工作温度	+85 °C
关键词

安装类型 表面贴装  Panasonic 安装类型 表面贴装  MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装  Panasonic MOSFET 晶体管 安装类型 表面贴装   长度 4.9mm  Panasonic 长度 4.9mm  MOSFET 晶体管 长度 4.9mm  Panasonic MOSFET 晶体管 长度 4.9mm   尺寸 4.9 x 5.9 x 0.95mm  Panasonic 尺寸 4.9 x 5.9 x 0.95mm  MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 5.9 x 0.95mm  Panasonic MOSFET 晶体管 尺寸 4.9 x 5.9 x 0.95mm   典型关断延迟时间 64 ns  Panasonic 典型关断延迟时间 64 ns  MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 64 ns  Panasonic MOSFET 晶体管 典型关断延迟时间 64 ns   典型接通延迟时间 13 ns  Panasonic 典型接通延迟时间 13 ns  MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns  Panasonic MOSFET 晶体管 典型接通延迟时间 13 ns   典型输入电容值@Vds 3700 pF@ 10 V  Panasonic 典型输入电容值@Vds 3700 pF@ 10 V  MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF@ 10 V  Panasonic MOSFET 晶体管 典型输入电容值@Vds 3700 pF@ 10 V   典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 4.5 V  Panasonic 典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 4.5 V  MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 4.5 V  Panasonic MOSFET 晶体管 典型栅极电荷@Vgs 28 nC @ 4.5 V   封装类型 HSO8-F4-B  Panasonic 封装类型 HSO8-F4-B  MOSFET 晶体管 封装类型 HSO8-F4-B  Panasonic MOSFET 晶体管 封装类型 HSO8-F4-B   高度 0.95mm  Panasonic 高度 0.95mm  MOSFET 晶体管 高度 0.95mm  Panasonic MOSFET 晶体管 高度 0.95mm   晶体管材料 Si  Panasonic 晶体管材料 Si  MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si  Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管材料 Si   晶体管配置 单  Panasonic 晶体管配置 单  MOSFET 晶体管 晶体管配置 单  Panasonic MOSFET 晶体管 晶体管配置 单   宽度 5.9mm  Panasonic 宽度 5.9mm  MOSFET 晶体管 宽度 5.9mm  Panasonic MOSFET 晶体管 宽度 5.9mm   每片芯片元件数目 1  Panasonic 每片芯片元件数目 1  MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1  Panasonic MOSFET 晶体管 每片芯片元件数目 1   通道类型 N  Panasonic 通道类型 N  MOSFET 晶体管 通道类型 N  Panasonic MOSFET 晶体管 通道类型 N   通道模式 增强  Panasonic 通道模式 增强  MOSFET 晶体管 通道模式 增强  Panasonic MOSFET 晶体管 通道模式 增强   系列 SK  Panasonic 系列 SK  MOSFET 晶体管 系列 SK  Panasonic MOSFET 晶体管 系列 SK   引脚数目 8  Panasonic 引脚数目 8  MOSFET 晶体管 引脚数目 8  Panasonic MOSFET 晶体管 引脚数目 8   最大功率耗散 34 W  Panasonic 最大功率耗散 34 W  MOSFET 晶体管 最大功率耗散 34 W  Panasonic MOSFET 晶体管 最大功率耗散 34 W   最大连续漏极电流 89 A  Panasonic 最大连续漏极电流 89 A  MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 89 A  Panasonic MOSFET 晶体管 最大连续漏极电流 89 A   最大漏源电压 30 V  Panasonic 最大漏源电压 30 V  MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电压 30 V   最大漏源电阻值 2.5 mΩ  Panasonic 最大漏源电阻值 2.5 mΩ  MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.5 mΩ  Panasonic MOSFET 晶体管 最大漏源电阻值 2.5 mΩ   最大栅阈值电压 3V  Panasonic 最大栅阈值电压 3V  MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅阈值电压 3V   最大栅源电压 ±20 V  Panasonic 最大栅源电压 ±20 V  MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V  Panasonic MOSFET 晶体管 最大栅源电压 ±20 V   最低工作温度 -40 °C  Panasonic 最低工作温度 -40 °C  MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C  Panasonic MOSFET 晶体管 最低工作温度 -40 °C   最高工作温度 +85 °C  Panasonic 最高工作温度 +85 °C  MOSFET 晶体管 最高工作温度 +85 °C  Panasonic MOSFET 晶体管 最高工作温度 +85 °C  

• SK8603150L, Silicon N-channel MOSFET for Load-switching / for DC-DC Converter