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安装类型	表面贴装
长度	5.4mm
尺寸	5.4 x 6.35 x 0.95mm
典型关断延迟时间	46 ns
典型接通延迟时间	27 ns
典型输入电容值@Vds	4369 pF@ 50 V
典型栅极电荷@Vgs	61 nC @ 10 V
封装类型	Power Flat
高度	0.95mm
晶体管材料	Si
晶体管配置	单
宽度	6.35mm
类别	功率 MOSFET
每片芯片元件数目	1
通道类型	N
通道模式	增强
系列	STripFET H7
引脚数目	8
最大功率耗散	5 W
最大连续漏极电流	80 A
最大漏源电压	100 V
最大漏源电阻值	7.3 mΩ
最大栅阈值电压	4V
最大栅源电压	±20 V
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
最小栅阈值电压	2V
关键词

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• STL100N10F7 N-channel Power MOSFET