STP10NM60ND,760-9654,STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装 ,STMicroelectronics
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NM60ND, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装

制造商零件编号：
STP10NM60ND
库存编号：
760-9654
STMicroelectronics STP10NM60ND
声明：图片仅供参考，请以实物为准！

STP10NM60ND产品详细信息

N 通道 FDmesh? 功率 MOSFET，STMicroelectronics

STP10NM60ND产品技术参数

  安装类型  通孔  
  长度  10.4mm  
  尺寸  10.4 x 4.6 x 15.75mm  
  典型关断延迟时间  32 ns  
  典型接通延迟时间  9.2 ns  
  典型输入电容值@Vds  577 pF@ 50 V  
  典型栅极电荷@Vgs  20 nC @ 10 V  
  封装类型  TO-220  
  高度  15.75mm  
  晶体管材料  Si  
  晶体管配置  单  
  宽度  4.6mm  
  类别  功率 MOSFET  
  每片芯片元件数目  1  
  通道类型  N  
  通道模式  增强  
  系列  FDmesh  
  引脚数目  3  
  最大功率耗散  70 W  
  最大连续漏极电流  8 A  
  最大漏源电压  600 V  
  最大漏源电阻值  600 mΩ  
  最大栅阈值电压  5V  
  最大栅源电压  ±25 V  
  最低工作温度  -55 °C  
  最高工作温度  +150 °C  
  最小栅阈值电压  3V  
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