ULN2003AINE4,732-0887,Texas Instruments ULN2003AINE4 NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装 ,Texas Instruments
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ULN2003AINE4
Texas Instruments ULN2003AINE4 NPN 达林顿晶体管对, 0.5 A, Vce=50 V, 16引脚 PDIP封装
制造商零件编号:
ULN2003AINE4
制造商:
Texas Instruments
Texas Instruments
库存编号:
732-0887
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
ULN2003AINE4产品详细信息
Darlington Transistor Arrays, Texas Instruments
This array of seven Darlington transistor circuits is able to drive high output current.
ULN2003AINE4产品技术参数
安装类型
通孔
长度
19.69mm
尺寸
19.69 x 6.6 x 5.08mm
封装类型
PDIP
高度
5.08mm
晶体管类型
NPN
晶体管配置
共发射极
宽度
6.6mm
每片芯片元件数目
7
引脚数目
16
最大集电极-发射极饱和电压
1.6 V
最大集电极-发射极电压
50 V
最大集电极-基极截止电流
0.5mA
最大连续集电极电流
0.5 A
最高工作温度
+150 °C
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安装类型 通孔
Texas Instruments 安装类型 通孔
达林顿晶体管 安装类型 通孔
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长度 19.69mm
Texas Instruments 长度 19.69mm
达林顿晶体管 长度 19.69mm
Texas Instruments 达林顿晶体管 长度 19.69mm
尺寸 19.69 x 6.6 x 5.08mm
Texas Instruments 尺寸 19.69 x 6.6 x 5.08mm
达林顿晶体管 尺寸 19.69 x 6.6 x 5.08mm
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封装类型 PDIP
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达林顿晶体管 封装类型 PDIP
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高度 5.08mm
Texas Instruments 高度 5.08mm
达林顿晶体管 高度 5.08mm
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晶体管类型 NPN
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达林顿晶体管 晶体管类型 NPN
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晶体管配置 共发射极
Texas Instruments 晶体管配置 共发射极
达林顿晶体管 晶体管配置 共发射极
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宽度 6.6mm
Texas Instruments 宽度 6.6mm
达林顿晶体管 宽度 6.6mm
Texas Instruments 达林顿晶体管 宽度 6.6mm
每片芯片元件数目 7
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达林顿晶体管 每片芯片元件数目 7
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引脚数目 16
Texas Instruments 引脚数目 16
达林顿晶体管 引脚数目 16
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最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 1.6 V
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最大集电极-发射极电压 50 V
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达林顿晶体管 最大集电极-发射极电压 50 V
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最大集电极-基极截止电流 0.5mA
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最大连续集电极电流 0.5 A
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达林顿晶体管 最大连续集电极电流 0.5 A
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最高工作温度 +150 °C
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达林顿晶体管 最高工作温度 +150 °C
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