关于我们 | 付款方式 | 联系我们

库存查询

安装类型	通孔
长度	4.58mm
尺寸	4.58 x 3.86 x 4.58mm
封装类型	TO-92
高度	4.58mm
晶体管类型	NPN
晶体管配置	单
宽度	3.86mm
每片芯片元件数目	1
引脚数目	3
最大发射极-基极电压	4 V
最大工作频率	100 MHz
最大功率耗散	625 mW
最大基极-发射极饱和电压	1.2 V
最大集电极-发射极饱和电压	0.25 V
最大集电极-发射极电压	80 V
最大集电极-基极电压	80 V
最大直流集电极电流	500 mA
最高工作温度	+150 °C
最小直流电流增益	50
关键词

安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 安装类型 通孔  双极晶体管 安装类型 通孔  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 安装类型 通孔   长度 4.58mm  Fairchild Semiconductor 长度 4.58mm  双极晶体管 长度 4.58mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 长度 4.58mm   尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm  Fairchild Semiconductor 尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm  双极晶体管 尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 尺寸 4.58 x 3.86 x 4.58mm   封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor 封装类型 TO-92  双极晶体管 封装类型 TO-92  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 封装类型 TO-92   高度 4.58mm  Fairchild Semiconductor 高度 4.58mm  双极晶体管 高度 4.58mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 高度 4.58mm   晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 晶体管类型 NPN  双极晶体管 晶体管类型 NPN  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管类型 NPN   晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 晶体管配置 单  双极晶体管 晶体管配置 单  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 晶体管配置 单   宽度 3.86mm  Fairchild Semiconductor 宽度 3.86mm  双极晶体管 宽度 3.86mm  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 宽度 3.86mm   每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 每片芯片元件数目 1  双极晶体管 每片芯片元件数目 1  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 每片芯片元件数目 1   引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 引脚数目 3  双极晶体管 引脚数目 3  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 引脚数目 3   最大发射极-基极电压 4 V  Fairchild Semiconductor 最大发射极-基极电压 4 V  双极晶体管 最大发射极-基极电压 4 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大发射极-基极电压 4 V   最大工作频率 100 MHz  Fairchild Semiconductor 最大工作频率 100 MHz  双极晶体管 最大工作频率 100 MHz  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大工作频率 100 MHz   最大功率耗散 625 mW  Fairchild Semiconductor 最大功率耗散 625 mW  双极晶体管 最大功率耗散 625 mW  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大功率耗散 625 mW   最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  Fairchild Semiconductor 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大基极-发射极饱和电压 1.2 V   最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V  双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极饱和电压 0.25 V   最大集电极-发射极电压 80 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-发射极电压 80 V  双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-发射极电压 80 V   最大集电极-基极电压 80 V  Fairchild Semiconductor 最大集电极-基极电压 80 V  双极晶体管 最大集电极-基极电压 80 V  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大集电极-基极电压 80 V   最大直流集电极电流 500 mA  Fairchild Semiconductor 最大直流集电极电流 500 mA  双极晶体管 最大直流集电极电流 500 mA  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最大直流集电极电流 500 mA   最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 最高工作温度 +150 °C  双极晶体管 最高工作温度 +150 °C  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最高工作温度 +150 °C   最小直流电流增益 50  Fairchild Semiconductor 最小直流电流增益 50  双极晶体管 最小直流电流增益 50  Fairchild Semiconductor 双极晶体管 最小直流电流增益 50  

• KSP05/06, NPN Epitaxial Silicon Transistor, Amplifier Transistor Data Sheet