产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLD014PBF, 1.7 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
IRLD014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0478
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4286DY-T1-GE3, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SI4286DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3211
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLIZ14GPBF, 8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
IRLIZ14GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0702
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR484DP-T1-GE3, 17 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SIR484DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1281
搜索
Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SI4712DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4328
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9226
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ9945BEY-T1_GE3, 5.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SQ9945BEY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9474
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLR014TRPBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
IRLR014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0718
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
IRLZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0604
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLR014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
IRLR014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1689
搜索
Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF8N50D-E3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SIHF8N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9162
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP8N50D-GE3, 8.7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SIHP8N50D-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9181
搜索
Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SI4712DY-T1-GE3, 14.6 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SI4712DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1289
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRLU014PBF, 7.7 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
IRLU014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1702
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR430ATRPBF, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
IRFR430ATRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0635
搜索
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4202DY-T1-GE3, 12.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SI4202DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3218
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4224
搜索
Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 17 ns,
制造商零件编号:
SI3442CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5918
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