产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFZ48VSPBF, 72 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IRFZ48VSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2250
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET SPD50P03L G, 50 A, Vds=30 V, 5引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
SPD50P03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8495
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP072N10N3 G, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPP072N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5480
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD042P03L3GATMA1, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPD042P03L3GATMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9051
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N08N3G, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPD053N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9102
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPI90N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6811
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GHKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPP052NE7N3GHKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6845
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPP90N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7031
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N06S4L-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPP90N06S4L-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7038
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IRF640NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4817
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD100N04S4-02, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPD100N04S4-02
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7111
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB180P04P4L-02, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPB180P04P4L-02
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7749
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP057N08N3 G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPP057N08N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5601
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD068N10N3G, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPD068N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9156
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPB90N06S4L04ATMA2, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPB90N06S4L04ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9046
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90N06S4-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPP90N06S4-04
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7034
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB049NE7N3 G, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPB049NE7N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7447
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IRF640NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9298
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPD200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8369
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPB200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5443
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP200N15N3 G, 50 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPP200N15N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5611
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Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90N06S404ATMA2, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPB90N06S404ATMA2
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9042
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB054N08N3G, 80 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IPB054N08N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9178
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NSTRLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IRF640NSTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2853
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF640NLPBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:最大功率耗散 150 W,
制造商零件编号:
IRF640NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
831-2859
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