产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FQU11P06TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5335
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
STD1NK60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5181
搜索
Nexperia Si N沟道 MOSFET PMF370XN,115, 870 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
PMF370XN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8382
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5867NLT4G, 22 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
NVD5867NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1099
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 SCH1335-TL-H, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SCH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
SCH1335-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1103
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FQPF11P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5885
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPD50R1K4CEBTMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
IPD50R1K4CEBTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4607
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FQD11P06TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0949
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTR4501NT1G, 3.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
NTR4501NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9146
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
STQ1HNK60R-AP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6796
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5867NLT4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
NTD5867NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
719-2901
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3420U-7, 5.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
DMG3420U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4092
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC2512, 1.4 A, Vds=150 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FDC2512
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9009
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFHS8242TRPBF, 21 A, Vds=25 V, 6引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
IRFHS8242TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3969
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQP11P06, 11.4 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FQP11P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8766
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDS9431A, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FDS9431A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5507
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
STN1HNK60
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6591
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5801TRPBF, 600 mA, Vds=200 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
IRF5801TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-631
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN5618P, 1.25 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FDN5618P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0463
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International Rectifier HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFHS8242TR2PBF, 9.9 A, Vds=25 V, 7引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
IRFHS8242TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
737-7326
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDZ192NZ, 5.3 A, Vds=20 V, 6引脚 WLCSP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
FDZ192NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4905
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD1NK60-1, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
STD1NK60-1
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2704
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI1926DL-T1-GE3, 370 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
SI1926DL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3101
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Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET PMGD370XN, 1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-88封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
PMGD370XN
品牌:
Nexperia
库存编号:
816-6896
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Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 Si MOSFET IPU50R1K4CEBKMA1, 3.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:典型接通延迟时间 6.5 ns,
制造商零件编号:
IPU50R1K4CEBKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7069
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