产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRFP450APBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0030
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Vishay N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-E3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
2N7002K-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-2706
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIR466DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3406
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIHB12N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9300
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Vishay N沟道 Si MOSFET SIHL540STRL-GE3, 28 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIHL540STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0691
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC30GPBF, 2.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRFIBC30GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1382
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Vishay Si P沟道 MOSFET TP0610K-T1-GE3, 185 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
TP0610K-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9018
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIR870ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9355
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI1025X-T1-GE3, 135 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI1025X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3029
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI3447CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3154
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30S-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIHFBC30S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2691
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUP50N03-5M1P-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SUP50N03-5M1P-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7499
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIR870ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4242
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Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI2312BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3254
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHB15N60E-GE3, 15 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIHB15N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9304
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Vishay Si N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-GE3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
2N7002K-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9058
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC30STRL-GE3, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIHFBC30STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2695
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4830CDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI4830CDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1292
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI7232DN-T1-GE3, 24 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI7232DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1396
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI8461DB-T2-E1, 3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI8461DB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1425
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Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
TN2404K-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7647
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC30PBF, 3.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRFBC30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9507
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Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP12N60E-GE3, 12 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SIHP12N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9428
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI5442DU-T1-GE3, 12.4 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI5442DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1321
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD42N03-3M9P-GE3, 107 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Vishay,规格:典型关断延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SUD42N03-3M9P-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
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