产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP373, 1.7 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
BSP373
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8224
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPB120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPB120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9092
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Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPA60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8609
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPI120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4672
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPP120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6883
搜索
Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R520C6, 8.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPD60R520C6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7545
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N08S2L-07, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPB80N08S2L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5132
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N08S2L-07, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPP80N08S2L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7000
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R080CFD, 43 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,品牌:Infineon,规格:典型关断延迟时间 85 ns,
制造商零件编号:
IPW65R080CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6927
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