产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7490PBF, 5.4 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7490PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2159
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410PBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR3410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2238
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQB44N10TM, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
FQB44N10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0895
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP44N10, 43 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
FQP44N10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5111
搜索
Vishay 双 N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4906DY-T1-E3, 5.3 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
SI4906DY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3367
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN030-60YS, 29 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-669封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
PSMN030-60YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2873
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR3410TRPBF, 31 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR3410TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-4044
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB132N50P3, 132 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IXFB132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0984
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB5615PBF, 35 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB5615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6964
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ON Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET EMH2407-TL-H, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
EMH2407-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
801-0169
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTLUS3A39PZTAG, 5.2 A, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
NTLUS3A39PZTAG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1061
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRLIZ44GPBF, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IRLIZ44GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0711
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4615PBF, 35 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4615PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6967
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2323DS-T1-E3, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
SI2323DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4698
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3024LK3-13, 14.4 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
DMN3024LK3-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4161
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102L, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC86102L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9550
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG73N60E-GE3, 73 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
SiHG73N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9297
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB132N50P3, 132 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IXFB132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4348
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN132N50P3, 112 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
IXFN132N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7599
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQH44N10_F133, 48 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
FQH44N10_F133
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9020
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC855N, 6.1 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
FDC855N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0871
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102L, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 MLP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 39 mΩ,
制造商零件编号:
FDMC86102L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-5027
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