产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80ZFP, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STP10NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5273
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2400UFB4-7, 750 mA, Vds=20 V, 3引脚 DFN-1006封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2400UFB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5121
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCU900N60Z, 4.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
FCU900N60Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1124
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STD7ANM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
792-5723
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6242
搜索
Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302GTRPBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML6302GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3310
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDD6N50TM_F085, 6 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
FDD6N50TM_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8105
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP321P, 980 mA, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
BSP321P
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2361
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STD7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1988
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
SPP06N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7776
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DiodesZetex 双 N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2004VK-7, 540 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2004VK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4133
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
SPA06N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8451
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD06N80C3, 6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
SPD06N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8489
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STF7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2843
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS209PWH6327XTSA1, 500 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
BSS209PWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0018
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2404
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STP10NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8856
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Nexperia Si P沟道 MOSFET BSH203,215, 470 mA, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
BSH203,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8366
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STD7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9935
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DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2400UFB-7, 750 mA, Vds=20 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2400UFB-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5272
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DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2004DMK-7, 540 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-26封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2004DMK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-2927
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK80Z, 9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STP10NK80Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5276
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN2004DWK-7, 540 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2004DWK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4130
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STU7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
STU7NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0247
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 900 mΩ,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5160
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