产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS T2 系列 P沟道 Si MOSFET IPD70P04P4L-08, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
制造商零件编号:
IPD70P04P4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4613
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5802NT4G, 78 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
制造商零件编号:
NVD5802NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1777
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19531Q5AT, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 VSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD19531Q5AT
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9259
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16340Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16340Q3
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4732
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS6B03NT1G, 132 A, Vds=100 V, 8引脚 SO-8FL封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
制造商零件编号:
NTMFS6B03NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3261
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD5802NT4G, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
制造商零件编号:
NTD5802NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0541
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16342Q5A, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大漏源电阻值 7.8 mΩ,
制造商零件编号:
CSD16342Q5A
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4739
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