产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
STW56N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5733
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N65M2-4, 49 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
STW56N65M2-4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5736
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NSPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IRFZ44NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3890
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4769
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3715ZPBF, 49 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IRLR3715ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4570
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5154
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6236
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IRFZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9777
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI1010NPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IRFI1010NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9579
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NLPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IRFZ44NLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0119
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ44NSPBF, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IRFZ44NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2446
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ44NS, 49 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
AUIRFZ44NS
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1888
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86201, 49 A, Vds=120 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
FDMS86201
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5478
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC093N04LS G, 49 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
BSC093N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8164
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4863NT4G, 49 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
NTD4863NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0535
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN62N80Q3, 49 A, Vds=800 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
IXFN62N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7580
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86103L, 49 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
FDMS86103L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1731
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK49N65W,S1F(S, 49 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大连续漏极电流 49 A,
制造商零件编号:
TK49N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2397
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