产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NDC7002N, 510 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
NDC7002N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0161
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3601N, 1 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC3601N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9015
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6305N, 2.7 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6305N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3947
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6506P, 1.8 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6506P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4417
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6561AN, 2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6561AN
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-9838
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6401N, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6401N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0852
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6420C, 2.2 A,3 A, Vds=20 V, 6引脚 SSOT封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6420C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4147
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
SI2305CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3248
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
NTR2101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4739
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR2101PT1G, 3.7 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
NTR2101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
790-5274
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6318P, 2.5 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6318P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0837
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
SI2305CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0269
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6312P, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6312P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0340
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6327C, 1.9 A,2.7 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6327C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3956
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6306P, 1.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6306P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-9834
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDC6310P, 2.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6310P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1729
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6333C, 2 A,2.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC6333C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0164
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC8602, 1.2 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
FDC8602
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
760-5851
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Fairchild Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET NDC7001C, 340 mA,510 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
NDC7001C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-4574
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET NDC7003P, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 960 mW,
制造商零件编号:
NDC7003P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1236
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