产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STP6NK90ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1575
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STP6NK90ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5336
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC20GPBF, 1.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
IRFIBC20GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4783
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP7NK80ZFP, 5.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STP7NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-1085
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7665S2TR1PBF, 14.4 A, Vds=100 V, 4引脚 DirectFET SB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
IRF7665S2TR1PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
716-5381
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Semelab Si N沟道 MOSFET D5011UK, 3 A, Vds=125 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
D5011UK
品牌:
Semelab
库存编号:
738-7773
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF5N50NZ, 4.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
FDPF5N50NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4885
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8334TR2PBF, 44 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
IRFH8334TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4387
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP8NK80ZFP, 6.2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STP8NK80ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0190
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF15NM65N, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STF15NM65N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0446
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD17NF03LT4, 17 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STD17NF03LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0691
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF10N62K3, 8.4 A, Vds=620 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STF10N62K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2723
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STF21N65M5, 17 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STF21N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2770
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STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STF21NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2789
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF24N60M2, 18 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STF24N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2924
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STFI20N65M5, 18 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAKFP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
STFI20N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2942
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF6N40D-E3, 6 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
SIHF6N40D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9153
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHF5N50D-E3, 5.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
SIHF5N50D-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9159
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
TK10A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4993
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Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK7A60W,S4VX(M, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
TK7A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5201
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK8A60W,S5VX(M, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
TK8A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5211
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDU3N40TU, 2 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
FDU3N40TU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-0701
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
FQPF11P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5885
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFI620GPBF, 4 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
IRFI620GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
813-0708
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 30 W,
制造商零件编号:
BSZ100N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5142
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