产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (1)
Infineon (11)
IXYS (3)
STMicroelectronics (4)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IXFR44N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-344
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRFB3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-574
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP100NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
STP100NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2161
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310PBF, 130 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRFS4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4889
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF2907ZLPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRF2907ZLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8816
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRF2907ZS-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8844
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF03, 120 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
STP200NF03
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5289
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324PBF, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRF1324PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6807
搜索
Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF1324S-7P, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
AUIRF1324S-7P
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9224
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3805S-7PPBF, 240 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRF3805S-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-663
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1324, 353 A, Vds=24 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
AUIRF1324
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9212
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR32N80P, 20 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IXFR32N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-470
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRFS3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-552
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA13N80_F109, 12.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
FQA13N80_F109
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4897
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1324S-7PPBF, 429 A, Vds=24 V, 7引脚 D2PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRF1324S-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6816
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFP10N80P, 10 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IXFP10N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-057
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW52NK25Z, 52 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
STW52NK25Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5279
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3207ZPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 300000 mW,
制造商零件编号:
IRFB3207ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6917
搜索
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号