产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
BSS123
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8117
搜索
DiodesZetex 双 N/P沟道 Si MOSFET DMC2004DWK-7, 430 mA,540 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMC2004DWK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4054
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 3LN01C-TB-E, 150 mA, Vds=30 V, 3引脚 CP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
3LN01C-TB-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5192
搜索
DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP2240UW-7, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMP2240UW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
823-2955
查看其他仓库
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS223PWH6327XTSA1, 310 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
BSS223PWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9991
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Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI1029X-T1-GE3, 190 mA, 305 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
SI1029X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5905
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN5L06WK-7, 300 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMN5L06WK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2434
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN5L06VK-7, 280 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMN5L06VK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2513
搜索
DiodesZetex 双 N沟道 MOSFET 晶体管 DMN2004VK-7, 540 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMN2004VK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4133
查看其他仓库
Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI1029X-T1-GE3, 190 mA,300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
SI1029X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9055
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NXP Si N沟道 MOSFET BSS123, 150 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
BSS123
品牌:
Nexperia
库存编号:
792-0885
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET CPH5617-TL-E, 150 mA, Vds=30 V, 5引脚 CPH封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
CPH5617-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5268
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET NTJD5121NT2G, 290 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-88封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
NTJD5121NT2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1676
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002V, 280 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-563F封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
2N7002V
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
805-1141
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI1025X-T1-GE3, 135 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
SI1025X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3029
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1031R-T1-GE3, 100 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
SI1031R-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3038
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DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN5L06VAK-7, 280 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMN5L06VAK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2586
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Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI1029X-T1-GE3, 190 mA,300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
SI1029X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4211
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NXP Si P沟道 MOSFET BSS84, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 TO-236AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
BSS84,215
品牌:
NXP
库存编号:
436-8091
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN5L06DWK-7, 300 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMN5L06DWK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2523
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DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET DMN66D0LDW-7, 115 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
DMN66D0LDW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4212
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI1026X-T1-GE3, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SC-89封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
SI1026X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9046
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01C-TB-E, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 CP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
3LP01C-TB-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5202
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET 5LN01C-TB-E, 100 mA, Vds=50 V, 3引脚 CP封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
5LN01C-TB-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5221
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 5LN01SP-AC, 100 mA, Vds=50 V, 3引脚 SPA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 250 mW,
制造商零件编号:
5LN01SP-AC
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5224
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