产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
专业代理销售ROHM(罗姆)全系列产品
关于我们
|
付款方式
|
联系我们
库存查询
ROHM产品选型
按产品分类选型
按品牌选型
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
万用表
电容
molex
连接器
NSX系列
63V 5mm
TDC180-5A
H8670VBAAA
804-8394
TDC180-5A
英国10号仓库
>
半导体
>
分立半导体
>
MOSFET 晶体管
筛选品牌
Fairchild Semiconductor (9)
Infineon (3)
ON Semiconductor (3)
Vishay (1)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词:
以下搜索结果
产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLR8721PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 D-PAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
IRLR8721PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7241
查看其他仓库
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET 2SK3748-1E, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3P封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
2SK3748-1E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0734
搜索
ON Semiconductor N沟道 GaN MOSFET NTP8G202NG, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
NTP8G202NG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
882-9834
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP13N10L, 12.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FQP13N10L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
917-5513
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8721PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
IRLB8721PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9322
搜索
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTD20P06LG, 15.5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
NTD20P06LG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0513
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8453LZ, 16 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FDD8453LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
802-2976
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP8P10, 5.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FQP8P10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5879
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8447L_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FDD8447L_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8127
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7670AS, 113 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FDMS7670AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4807
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD120AN15A0, 14 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FDD120AN15A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9043
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8721PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
IRLB8721PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4036
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8020, 131 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FDMS8020
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
803-1853
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N02-06P-E3, 50 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-252封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
SUD50N02-06P-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7467
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD050N03B, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FDD050N03B
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8023
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD120AN15A0_F085, 14 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:MOSFET 晶体管,规格:最大功率耗散 65 W,
制造商零件编号:
FDD120AN15A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8035
查看其他仓库
1
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
ROHM半导体简介
|
ROHM产品
|
ROHM动态
|
产品应用
|
按产品系列选型
|
按产品规格选型
|
ROHM选型手册
Copyright © 2017
http://www.rohm-chip.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号