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Infineon BC 848B E6327 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=30 V, HFE:110, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
BC 848B E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9062
搜索
Infineon BDP 950 H6327 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=60 V, HFE:15, 3 + Tab引脚 SOT-223封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
BDP 950 H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9096
搜索
Fuji Electric 7MBR100VB-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=600 V, 24引脚 M712封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR100VB-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9129
搜索
Fuji Electric 7MBR50VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=600 V, 24引脚 M711封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR50VA-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9130
搜索
Fuji Electric 7MBR35VB-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR35VB-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9134
搜索
Fuji Electric 6MBI75VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=600 V, 28引脚 M636封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
6MBI75VA-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9127
搜索
Fuji Electric 7MBR25VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 25 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR25VA-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9132
搜索
Fuji Electric 7MBR35VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 35 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR35VA-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9133
搜索
Fuji Electric 2MBI300VB-060-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 300 A, Vce=600 V, 7引脚 M274封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
2MBI300VB-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9125
搜索
Fuji Electric 7MBR75VB-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=600 V, 24引脚 M712封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR75VB-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9131
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IPA90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9088
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Infineon OptiMOS 系列 双 N沟道 Si MOSFET IPG20N06S4L-26, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IPG20N06S4L-26
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9095
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP030N10N3 G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IPP030N10N3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9089
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Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IPA60R190P6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9092
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Infineon IDH08SG60C 肖特基 二极管, Io=8A, Vrev=600V, 2引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IDH08SG60C
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9107
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BB 439 E6327 变容管, 使用于调谐器, 4.3pF 28V, 最小调谐比: 5 VHF, 2针 SOD-323封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
BB 439 E6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9106
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BB 639C E7904 变容管, 使用于调谐器, 2.4pF 30V, 最小调谐比: 9.5 VHF, 2针 SOD-323封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
BB 639C E7904
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9116
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Fuji Electric 2MBI100VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 串行, 100 A, Vce=600 V, 7引脚 M263封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
2MBI100VA-060-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9124
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Fuji Electric 6MBI50VA-060-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=600 V, 28引脚 M636封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
6MBI50VA-060-50
品牌:
Fuji Electric
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Fuji Electric 6MBI75VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=1200 V, 28引脚 M636封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
6MBI75VA-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9128
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Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR50VB-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9135
搜索
Fuji Electric 7MBR75VB-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 75 A, Vce=1200 V, 24引脚 M712封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
7MBR75VB-120-50
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
110-9137
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Infineon IKW50N65F5 N沟道 IGBT, 80 A, Vce=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IKW50N65F5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9112
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Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IPP60R190P6
品牌:
Infineon
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Infineon CoolMOS P6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R190P6, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,搜索词:1109,
制造商零件编号:
IPW60R190P6
品牌:
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