产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5107
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6198
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2954
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2338
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP85N06, 85 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP85N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5187
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF85N06, 53 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF85N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5313
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW16NK60Z, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW16NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0275
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6173
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R150CFDAFKSA1, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPW65R150CFDAFKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7117
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF36N60NT, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCPF36N60NT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7922
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD9407_F085, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD9407_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8130
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2958
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5081
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5093
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6185
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCA36N60NF, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCA36N60NF
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1233
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Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R150CFD, 22 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPA65R150CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7529
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB36N60NTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8914
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCP36N60N, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCP36N60N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8917
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP16NK60Z, 14 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP16NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0033
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5090
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
TK31E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6182
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2-07, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPB80N06S2-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4506
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-07, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80N06S2-07
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6987
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Fairchild Semiconductor SupreMOS 系列 N沟道 Si MOSFET FCB36N60NTM, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
产品分类:分立半导体,规格:典型栅极电荷@Vgs 86 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB36N60NTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-4803
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