产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
PHKD6N02LT,518
品牌:
Nexperia
库存编号:
509-510
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
FDS6890A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0633
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
FDS6898A
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0646
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMF370XN,115, 870 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
PMF370XN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8382
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6244TRPBF, 6.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
IRLML6244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7228
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH6200TR2PBF, 45 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
IRFH6200TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7284
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6401N, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
FDC6401N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0852
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
SIA923EDJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1244
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NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR290UNE, 700 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
PMR290UNE
品牌:
NXP
库存编号:
816-6919
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898AZ_F085, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
FDS6898AZ_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8701
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6420C, 2.2 A,3 A, Vds=20 V, 6引脚 SSOT封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
FDC6420C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
903-4147
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3418L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
DMG3418L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1035
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2022UFDF-7, 9.4 A, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
DMN2022UFDF-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1063
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DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2023UCB4-7, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 X1-WLB封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
DMN2023UCB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1066
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMT5015LFDF-7, 11.5 A, Vds=50 V, 6引脚 UDFN封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
DMT5015LFDF-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1164
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Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
NDS331N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1078
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
IRLR6225PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7293
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDFME3N311ZT, 1.8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
FDFME3N311ZT
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9493
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL6342PBF, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
IRL6342PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4413
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
IRL6372PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4416
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STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL100N1VH5, 100 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerFLAT封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
STL100N1VH5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9635
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Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
SI7655DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9257
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NXP Si P沟道 MOSFET PMR670UPE, 480 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
PMR670UPE
品牌:
NXP
库存编号:
798-2776
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ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET EFC4615R-TR, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 EFCP封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
EFC4615R-TR
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0875
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
产品分类:分立半导体,规格:最小栅阈值电压 0.5V,
制造商零件编号:
SIA921EDJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1235
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