产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5107
搜索
Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
SI5997DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1365
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6198
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2954
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2338
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60N, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
STW43NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2931
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6173
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2958
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31A60W,S4VX(M, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5081
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5093
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6185
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STFW40N60M2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-3PF封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
STFW40N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5651
搜索
STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW43NM60ND, 35 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
STW43NM60ND
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0332
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5090
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31E60W,S1VX(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6182
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 STFI40N60M2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAKFP封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
STFI40N60M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7123
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,规格:最大漏源电阻值 88 mΩ,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2335
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