产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
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IXYS MII200-12A4 N通道 IGBT 模块, 串行, 270 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y3 DCB封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MII200-12A4
品牌:
IXYS
库存编号:
193-650
搜索
IXYS MII100-12A3 N通道 IGBT 模块, 串行, 135 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MII100-12A3
品牌:
IXYS
库存编号:
193-874
搜索
IXYS MID145-12A3 N通道 IGBT 模块, 160 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MID145-12A3
品牌:
IXYS
库存编号:
194-401
搜索
IXYS MDI200-12A4 N通道 IGBT 模块, 270 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y3 DCB封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MDI200-12A4
品牌:
IXYS
库存编号:
194-653
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IXYS IXDH20N120D1 N沟道 IGBT, 38 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXDH20N120D1
品牌:
IXYS
库存编号:
192-657
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IXYS IXGH20N120B N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247AD封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXGH20N120B
品牌:
IXYS
库存编号:
194-293
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IXYS IXYN100N120C3 N沟道 IGBT, 152 A, Vce=1200 V, 20 → 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXYN100N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7600
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IXYS IXA60IF1200NA N沟道 IGBT, 88 A, Vce=1200 V, 4引脚 SOT-227B封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXA60IF1200NA
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7612
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IXYS IXA17IF1200HJ N沟道 IGBT, 28 A, Vce=1200 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXA17IF1200HJ
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0203
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IXYS IXYX100N120C3 N沟道 IGBT, 188 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 PLUS247封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXYX100N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0225
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IXYS IXYR100N120C3 N沟道 IGBT, 104 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 ISOPLUS247封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXYR100N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0228
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IXYS IXYP20N120C3 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-220封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXYP20N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0243
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IXYS IXA20IF1200HB N沟道 IGBT, 38 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXA20IF1200HB
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0259
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IXYS IXYH40N120C3 N沟道 IGBT, 70 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXYH40N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0275
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IXYS IXYH50N120C3 N沟道 IGBT, 100 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXYH50N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0287
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IXYS IXYK100N120C3 N沟道 IGBT, 188 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-264封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXYK100N120C3
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0293
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IXYS IXA12IF1200TC N沟道 IGBT, 20 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-268AA封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXA12IF1200TC
品牌:
IXYS
库存编号:
808-0297
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IXYS IXA30PG1200DHGLB 双 N沟道 串联 IGBT, 43 A, Vce=1200 V, 9引脚 SMPD封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXA30PG1200DHGLB
品牌:
IXYS
库存编号:
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IXYS IXA40PG1200DHGLB 双 N沟道 串联 IGBT, 63 A, Vce=1200 V, 9引脚 SMPD封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
IXA40PG1200DHGLB
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2557
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IXYS MDI145-12A3 N通道 IGBT 模块, 160 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MDI145-12A3
品牌:
IXYS
库存编号:
194-439
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IXYS MID75-12A3 N通道 IGBT 模块, 90 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MID75-12A3
品牌:
IXYS
库存编号:
193-521
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IXYS MID200-12A4 N通道 IGBT 模块, 270 A, Vce=1200 V, 5引脚 Y3 DCB封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MID200-12A4
品牌:
IXYS
库存编号:
194-394
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IXYS MUBW15-12A6K N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 19 A, Vce=1200 V, 25引脚
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MUBW15-12A6K
品牌:
IXYS
库存编号:
194-596
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IXYS MII75-12A3 N通道 IGBT 模块, 串行, 90 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MII75-12A3
品牌:
IXYS
库存编号:
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IXYS MDI75-12A3 N通道 IGBT 模块, 90 A, Vce=1200 V, 7引脚 Y4 M5封装
产品分类:分立半导体,品牌:IXYS,规格:最大集电极-发射极电压 1200 V,
制造商零件编号:
MDI75-12A3
品牌:
IXYS
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