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• Fairchild Semiconductor FGPF15N60UNDF N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220F封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  FGPF15N60UNDF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0785
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD5614P, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  FDD5614P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0352
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2012UK, 4 A, Vds=65 V, 3引脚 DP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  D2012UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7705
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPD105N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5468
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6040SK3-13, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  DMN6040SK3-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  790-4609
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL8N80K5, 4.5 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  STL8N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7706
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STL7N80K5, 3.6 A, Vds=800 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  STL7N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5915
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR320TRPBF, 3.1 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR320TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0626
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220TRPBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR220TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0629
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9020TRPBF, 9.9 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR9020TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0641
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR020TRPBF, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR020TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2764
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD40N03S4L-08, 40 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IPD40N03S4L-08
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4596
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MDD2N60RH, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  MDD2N60RH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-6637
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB08P06P G, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPB08P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2201
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4510GPBF, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFI4510GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5084
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD08P06P, 8.8 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPD08P06P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  462-3247
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ34GPBF, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4796
  
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• Semelab Si N沟道 MOSFET D2212UK, 8 A, Vds=40 V, 3引脚 DP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  D2212UK
  品牌：
  Semelab
  库存编号：
  738-7758
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU420PBF, 2.4 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-251AA封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFU420PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9002
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDD4243, 6.7 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  FDD4243
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0884
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9120TRPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0648
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFRC20TRPBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  IRFRC20TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0663
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR120TR-GE3, 7.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SIHLR120TR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0720
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIHLR024TR-GE3, 14 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SIHLR024TR-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  813-0727
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 42 W,
• 制造商零件编号：
  SPD09P06PLG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9074
  
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