以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Toshiba GT30J121 N沟道 IGBT, 30 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  GT30J121
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5058
  
• 
  搜索

• Fuji Electric 7MBR25VA-120-50 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 25 A, Vce=1200 V, 24引脚 M711封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  7MBR25VA-120-50
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  110-9132
  
• 
  搜索

• Infineon IGW20N60H3 N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IGW20N60H3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8560
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFB11N50APBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB11N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1944
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205Z, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3205Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7436
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3205ZS, 110 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3205ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7439
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP120N10, 74 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  FDP120N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9673
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP28N60M2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  STP28N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1459
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW15N95K5, 12 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  STW15N95K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1493
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5210STRLPBF, 38 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF5210STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2825
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDP12N50NZ, 11.5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  FDP12N50NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8534
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N20DPBF, 24 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRFB23N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5787
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4946
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1104PBF, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF1104PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1994
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP17N40, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  FQP17N40
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5036
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF4905L, 70 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRF4905L
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9133
  
• 
  搜索

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R7-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN2R7-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2930
  
• 
  搜索

• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN8R7-80BS, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  PSMN8R7-80BS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3038
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW28N60M2, 22 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  STW28N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1507
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2796
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP15N40, 15 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  FDP15N40
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8543
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STB28N65M2, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  STB28N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5617
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZSPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3985
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP22N30, 21 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  FQP22N30
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5058
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL3705N, 89 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 170 W,
• 制造商零件编号：
  AUIRL3705N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1894
  
• 
  搜索