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• ON Semiconductor D45VH10G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  D45VH10G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5141
  
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• ON Semiconductor D44VH10G , NPN 晶体管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  D44VH10G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3464
  
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• ON Semiconductor D45VH10G , PNP 晶体管, 15 A, Vce=80 V, HFE:20, 20 MHz, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  D45VH10G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  774-3473
  
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• STMicroelectronics STGD5H60DF N沟道 IGBT, 10 A, Vce=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  STGD5H60DF
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2798
  
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• Fairchild Semiconductor FGB7N60UNDF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  FGB7N60UNDF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8824
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IPW90R1K2C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7434
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  FCP7N60
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4755
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6718L2TRPBF, 270 A, Vds=25 V, 9引脚 DirectFET L6封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IRF6718L2TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5369
  
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• ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 NTD6415ANT4G, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 D-PAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  NTD6415ANT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2926
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7570S, 156 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS7570S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6336
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R380C6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IPA60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2995
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDD04N60Z-1G, 4.1 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  NDD04N60Z-1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0481
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDD04N60ZT4G, 4.1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  NDD04N60ZT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0484
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ460EP-T1-GE3, 32 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  SQJ460EP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9490
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD6828NLT4G, 41 A, Vds=90 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  NVD6828NLT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1092
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8018, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  FDMS8018
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3513
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R380C6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IPI65R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6722
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R380C6, 10.6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IPP60R380C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6924
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8794
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP07N65C3XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  SPP07N65C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8797
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4685_F085, 32 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  FDD4685_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8085
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  FCD7N60TM_WS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  865-1255
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7787TRPBF, 68 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IRFH7787TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4183
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IPP060N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2276
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPB60R385CP, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  产品分类：分立半导体,规格：最大功率耗散 83 W,
• 制造商零件编号：
  IPB60R385CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7495
  
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